芯片設(shè)計(jì)進(jìn)展迅速亟待向突破

IC設(shè)計(jì)涉及硬件、軟件兩方面的專業(yè)知識(shí)。硬件包括數(shù)字邏輯電路的原理和應(yīng)用、模擬電路、高頻電路等。軟件包括基礎(chǔ)的數(shù)字邏輯描述語言，如VHDL、微機(jī)匯編語言及C語言。說簡(jiǎn)單一點(diǎn)，它不但要設(shè)計(jì)芯片的身體，還要初步賦予其靈魂。由此可見，在整個(gè)芯片制造領(lǐng)域，IC設(shè)計(jì)無疑站在制高點(diǎn)的位置，由此產(chǎn)生如英特爾、高通、三星、德州儀器、西門子等。

大家都知道，在PC機(jī)的時(shí)代，英特爾和AMD壟斷了PC的芯片市場(chǎng)。在PC領(lǐng)域無法和美國(guó)競(jìng)爭(zhēng)，中國(guó)芯片產(chǎn)業(yè)卻意外從電信產(chǎn)業(yè)發(fā)展中受益，由于中國(guó)（巨龍、大唐、中興、華為）在電信產(chǎn)業(yè)的崛起，中國(guó)逐漸開始實(shí)現(xiàn)了通信設(shè)備制造的自主化，通信設(shè)備制造產(chǎn)業(yè)的崛起，卻意外地給中國(guó)帶來了一個(gè)沒有料到的結(jié)局，那就是中國(guó)的芯片產(chǎn)業(yè)開始伴隨著中國(guó)通信產(chǎn)業(yè)崛起而萌芽。

華為的海思、中興微電子、大唐都成為中國(guó)較大的芯片廠家之一。到了手機(jī)和平板電腦時(shí)代，由于中國(guó)本土手機(jī)廠家和平板電腦廠家的崛起，中國(guó)的展訊、全志、瑞芯微等公司也獲得了發(fā)展機(jī)會(huì)。

據(jù)ICinsight的報(bào)告，全球純芯片設(shè)計(jì)公司50強(qiáng)，2009年中國(guó)只有一家，也是中國(guó)較早闖入世界50強(qiáng)的是華為旗下的海思公司，2016年增長(zhǎng)到了11家，包括海思、紫光展銳、中興、大唐、南瑞、華大、銳迪科、ISSI、瑞芯微（Rockchip）、全志（Allwinner）、瀾起科技（Montage）。可以看到前面九名，海思，中興，大唐都是電信產(chǎn)業(yè)出生，南瑞是為智能電網(wǎng)提供芯片，全志、瑞芯微、展銳等為手機(jī)，平板電腦等提供芯片。

2016年，中國(guó)已經(jīng)有了160家芯片設(shè)計(jì)企業(yè)銷售額超過了1億元人民幣，可以說芯片設(shè)計(jì)正在中國(guó)開花。中國(guó)兩家芯片設(shè)計(jì)公司海思和紫光展銳都已經(jīng)躋身世界前十，2015年海思是世界第六，紫光展銳是世界第十，而且在前十名里面，海思和紫光展銳增長(zhǎng)速度較快。

2017年，一份由半導(dǎo)體協(xié)會(huì)和工信部中國(guó)電子信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展研究院公布的2017年國(guó)內(nèi)十大集成電路設(shè)計(jì)/制造行業(yè)的排名報(bào)告顯示，在國(guó)內(nèi)前十大集成電路設(shè)計(jì)企業(yè)當(dāng)中，華為海思半導(dǎo)體以361億元銷售額排名靠前，紫光展銳以110億元排名第二，中興微電子以76億元排名第三。隨后的還有華大半導(dǎo)體、智芯微電子、匯頂科技、士蘭微電子、敦泰科技（深圳）有限公司、格科微電子和中星微電子。

雖然中國(guó)內(nèi)地在設(shè)計(jì)端部分芯片產(chǎn)品有明顯突破，但目前IP核仍依賴ARM等，設(shè)計(jì)端使用的EDA工具完全靠Synopsys、Cadence、Mentor等廠商提供授權(quán)。

此外，我國(guó)芯片設(shè)計(jì)企業(yè)的主流產(chǎn)品仍集中在中低端，尚未進(jìn)入國(guó)際主戰(zhàn)場(chǎng)。除了在通信領(lǐng)域有了比較重要的突破外，在CPU、存儲(chǔ)器、可編程邏輯陣列(FPGA)、數(shù)字信號(hào)處理器(DSP)等大宗戰(zhàn)略產(chǎn)品領(lǐng)域的建樹不多。雖然在“核高基”等國(guó)家科技計(jì)劃大力支持下，上海兆芯研發(fā)的桌面CPU和“龍芯”系列CPU在特定領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)批量應(yīng)用，但受制于知識(shí)產(chǎn)權(quán)、加工能力和基礎(chǔ)設(shè)計(jì)能力的不足，我國(guó)企業(yè)還未能在上述領(lǐng)域進(jìn)入規(guī)模化量產(chǎn)，更談不上參與市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)。

制造是短板機(jī)會(huì)猶存

幾十年來，全球的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)一直癡迷于晶體管的小型化。上一次提出新的方法是在2009年，也就是我們所熟知的FinFET。2012年，F(xiàn)inFET工藝的一次量產(chǎn)，在之后的數(shù)年之內(nèi)推動(dòng)了22納米、14納米和10納米工藝的出現(xiàn)。

技術(shù)的進(jìn)步直接改變著各大集成電路制造企業(yè)的競(jìng)爭(zhēng)格局。半導(dǎo)體芯片龍頭英特爾技術(shù)上還在堅(jiān)守14納米工藝，英特爾在其上半年召開的“技術(shù)與制造日”上表示，其14納米技術(shù)具有高功能密度，要優(yōu)于競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手，制造成本要比對(duì)手低30%，且將采取措施確保在性能和成本方面遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于三星等。公開資料顯示，半導(dǎo)體芯片英特爾占據(jù)PC市場(chǎng)處理器約八成的市場(chǎng)份額，在服務(wù)器芯片市場(chǎng)占據(jù)超過九成的市場(chǎng)份額，其在PC和服務(wù)器芯片市場(chǎng)依然擁有不可撼動(dòng)的市場(chǎng)地位。

而作為后起之秀的三星，在閃存市場(chǎng)、手機(jī)芯片等戰(zhàn)場(chǎng)上不斷尋求突破。三星研發(fā)的一代10納米芯片已應(yīng)用于其今年發(fā)布的GalaxyS8中，高通驍龍835芯片也由三星現(xiàn)有的10納米工廠制造。近幾年P(guān)C市場(chǎng)的發(fā)展出現(xiàn)了停滯跡象，這種停滯給英特爾帶來了打擊，與此同時(shí)受到市場(chǎng)不斷增加的對(duì)手機(jī)芯片和閃存需求的提振，三星在2017年一季度的芯片銷量超過英特爾。

中國(guó)芯片制造工藝落后國(guó)際同行兩代，預(yù)計(jì)于2019年1月，中國(guó)可完成14納米級(jí)產(chǎn)品制造，同期國(guó)外可完成7納米級(jí)產(chǎn)品制造；產(chǎn)能嚴(yán)重不足，50%的芯片依賴進(jìn)口；同時(shí)中國(guó)的產(chǎn)能和需求之間結(jié)構(gòu)失配，實(shí)際能夠生產(chǎn)的產(chǎn)品，與市場(chǎng)需求不匹配；長(zhǎng)期的代工模式導(dǎo)致設(shè)計(jì)能力和制造能力失配、核心技術(shù)缺失；投資混亂、研發(fā)投入和人才不足等問題，導(dǎo)致中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)目前總體還處于“核心技術(shù)受制于人、產(chǎn)品處于中低端”的狀態(tài)，并且在很長(zhǎng)的一段時(shí)間內(nèi)無法根本改變。

中芯國(guó)際是中國(guó)內(nèi)地規(guī)模大、技術(shù)先進(jìn)的芯片晶圓代工企業(yè)。中芯國(guó)際無疑代表了中國(guó)半導(dǎo)體芯片制造技術(shù)的高水平，但是其先進(jìn)工藝僅為28納米，面對(duì)英特爾成熟的14納米工藝和三星、GlobalFoundries已經(jīng)投產(chǎn)的10納米工藝存在明顯的技術(shù)差距，即使與臺(tái)積電的16納米工藝比較也有不小的差距。在5納米新技術(shù)發(fā)布的今天，技術(shù)水平差距依然在拉大，中國(guó)芯片制造水平亟待提高。

究其原因，堵在中國(guó)芯片制造業(yè)前面較大的攔路虎不是材料，也不是技術(shù)，而是光刻機(jī)成套設(shè)備，而世界上只有日本的尼康、佳能及荷蘭的ASML公司能掌握光刻機(jī)制造，而出色的是荷蘭的ASML公司，其一臺(tái)光刻機(jī)的售價(jià)高達(dá)1億美元。相比之下，國(guó)內(nèi)較好的光刻機(jī)只能做到90納米制程，而日本的可以做到28納米以下，荷蘭的精度高達(dá)可以做到14納米以下制程。那你也許會(huì)問中國(guó)為什么不向他們購(gòu)買，問題來了，因?yàn)樾酒圃炖卫握莆赵诿馈⑷铡W的幾個(gè)國(guó)家手里，它們對(duì)中國(guó)進(jìn)行技術(shù)和設(shè)備的封鎖，導(dǎo)致中國(guó)至今芯片產(chǎn)業(yè)遲遲得不到突破。

盡管中國(guó)集成電路制造企業(yè)與國(guó)外企業(yè)的差距確實(shí)存在，然而也有一些有利因素。

首先，中國(guó)政府開始關(guān)注并支持中國(guó)集成電路制造產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，已發(fā)布了多項(xiàng)相關(guān)政策和指引，《中國(guó)制造2025》政策文件明確了中國(guó)目標(biāo)將集成電路自給自足率在2020年提高到40%，并在2025年提升至70%。這一目標(biāo)的實(shí)現(xiàn)直接需要半導(dǎo)體制造企業(yè)的技術(shù)水平的提升。

其次，技術(shù)發(fā)展速度放緩，為中國(guó)企業(yè)提供了追趕時(shí)間。無疑IBM與三星、GlobalFoundries聯(lián)盟所發(fā)布的全新硅納米片晶體管新技術(shù)為研發(fā)5納米芯片奠定了基礎(chǔ)，但隨著晶體管尺寸的縮小，源極和柵極間的溝道也在不斷縮短，當(dāng)溝道縮短到一定程度的時(shí)候，量子隧穿效應(yīng)就會(huì)變得容易，換言之，就算是沒有加電壓，源極和漏極都可以認(rèn)為是互通的，那么晶體管就失去了本身開關(guān)的作用，因此也沒法實(shí)現(xiàn)邏輯電路。從現(xiàn)在來看，10納米工藝已經(jīng)實(shí)現(xiàn)，5納米也是能夠?qū)崿F(xiàn)，而5納米以下則接近現(xiàn)有半導(dǎo)體工藝的物理值，如不能發(fā)展出新的材料體系，技術(shù)發(fā)展必然放緩。技術(shù)發(fā)展的放緩將給中國(guó)企業(yè)提供一定的追趕時(shí)間。

世界集成電路產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移趨勢(shì)為中國(guó)企業(yè)提供了機(jī)會(huì)。20世紀(jì)70年代末一次產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移，從美國(guó)轉(zhuǎn)移到了日本，造就了富士通、日立、東芝、NEC等世界靠前的集成電路制造商；第二次在1980年代末，韓國(guó)成為這一次轉(zhuǎn)移過程中的受益者，崛起了三星和臺(tái)積電這樣的制造業(yè)巨頭。目前，憑借巨大的市場(chǎng)需求、較低的人工成本，中國(guó)有可能接力韓國(guó)，成為未來5年產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移的重點(diǎn)區(qū)域。

由此看，雖然中國(guó)集成電路制造業(yè)整體落后，但在產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)上有優(yōu)勢(shì)，政府重視相關(guān)產(chǎn)業(yè)的扶持，新技術(shù)發(fā)展將放緩，中國(guó)的集成電路制造產(chǎn)業(yè)依然有機(jī)會(huì)改變不利與落后的局面。